Osram yuqori samarali LEDlar ishlab chiqarishni kengaytirmoqda
Osram Opto Semiconductors ikkita chip ishlab chiqarish zavodining ko'lamini kengaytirar ekan, ularni 6 dyuymli gofret ishlab chiqarish bazalariga ham o'zgartirdi va shu bilan ishlab chiqarishni sezilarli darajada oshirdi. Ular orasida Malayziyadagi Penang bazasi ishlab chiqarish binosi qurmoqda, Germaniyadagi Regensburg bazasi esa mavjud zavodni qayta taqsimlamoqda. Ikkala bazada ham yangi ishlab chiqarish texnologiyalari joriy qilinadi va hozirgi 4 dyuymli gofretlar o'rniga 6 dyuymli gofretlar joriy etiladi. Ushbu choralar ko'rilgandan so'ng, 2012 yil oxiriga kelib, oq rangli LED chiplari chiqishi ikki barobar oshishi kutilmoqda.
Ushbu qator chora -tadbirlar orqali Osram Opto Semiconductors xalqaro LED bozorining o'sish salohiyatidan foydalanib, Regensburg va Penangdagi ikkita chip ishlab chiqarish bazasining ishlab chiqarish quvvatini kengaytiradi va xalqaro bozorda etakchi mavqeini yanada mustahkamlaydi. Penang chip ishlab chiqarish zavodi ochilganiga ikki yildan oshmagan va endi 6 dyuymli gofret ishlab chiqarish bazasini kengaytirish va yangilash uchun yaxshi vaqt. 2012 yilga kelib zavodning umumiy maydoni 25000 kvadrat metrga ko'tariladi va 400 yangi ish o'rni qo'shiladi. Regensburg maydonida mavjud joylar qayta rejalashtiriladi va InGaN (Indium Gallium Nitride) ishlab chiqarish bosqichma-bosqich 2011 yilning yozidayoq yangilanadi.
Osram Opto Semiconductors kompaniyasi bosh direktori janob Aldo Kamper shunday dedi:" Yuqori samarali InGaN chiplarini ishlab chiqarish quvvatini kengaytirish orqali biz bozorda o'z pozitsiyamizni mustahkamlashni davom ettirmoqdamiz. LED bozorining turli sohalarda katta o'sish potentsiali bor va biz undan foydalanishda davom etamiz. Bu harakatlantiruvchi kuch o'sishda davom etmoqda. OSRAM Opto Semiconductors-OSRAM LED texnologiyasining qo'shimcha qiymatli zanjirining muhim bo'g'ini.&tirnoq;
Bu imkoniyatlarning kengayishi, asosan, oq LEDlarni ishlab chiqarish uchun zarur bo'lgan ingichka plyonka va UX: 3 texnologiyasidan foydalangan holda InGaN chiplariga ta'sir qiladi. Kelajakda, bu chiplar hozirgi 4 dyuymli diametrli gofretlarga asoslangan emas, balki boshidan 6 dyuymli gofretlarda ishlab chiqariladi.
